韩国存储器大厂SK海力士晓谕，该公司也曾见效成就出环球初次选择第六代10纳米级制程时候的16GbDDR5 DRAM。另外，SK海力士还展现了10纳米品级的超微小化存储制造时候。
SK海力士强调，跟着10纳米级DRAM时候的世代传承，微小时候的难度也随之加大。关联词，公司以得回业界最高性能招供的第五代 （1b） 时候力为基础，提升了筹算完成度，动身点冲破了时候极限。公司将在2024年内完成1c制程时候的DDR5 DRAM的量产准备，从2025岁首始供应居品，引颈半导体存储器市集发展。
SK海力士以1b制程时候的DRAM平台延伸形态成就了1c制程时候。SK海力士时候团队以为，如斯不仅不错减少制程高度空洞化历程中可能发生的特地尝试，还不错最有用的将受到招供的业界当中最高性能DRAM的1b制程时候上风更正到1c制程时候上。
况兼，SK 海力士在部分EUV制程中成就并适用了新材料，炒股的也在总共制程中针对EUV适用制程进行了优化，借此以确保了资本竞争力。在此同期，在1c制程时候上也进行了筹算时候修订，与前一代1b制程时候相较，其坐蓐率提升了30%以上。
另外，这次1c制程时候的DDR5DRAM将主要用于高性能数据中心上，其引申速率为8Gbps，与前一代相较速率提升了11%，能效也提升了9%以上。而跟着 AI 期间的到来，数据中心的耗电量在捏续加多当中，要是云干事供应商的客户将 SK 海力士 1c DRAM 选择到数据中心上，则公司瞻望其电费最高能减少 30%。