韩国存储器大厂SK海力士晓谕,该公司也曾见效成就出环球初次选择第六代10纳米级制程时候的16GbDDR5 DRAM。另外,SK海力士还展现了10纳米品级的超微小化存储制造时候。
SK海力士强调,跟着10纳米级DRAM时候的世代传承,微小时候的难度也随之加大。关联词,公司以得回业界最高性能招供的第五代 (1b) 时候力为基础,提升了筹算完成度,动身点冲破了时候极限。公司将在2024年内完成1c制程时候的DDR5 DRAM的量产准备,从2025岁首始供应居品,引颈半导体存储器市集发展。
SK海力士以1b制程时候的DRAM平台延伸形态成就了1c制程时候。SK海力士时候团队以为,如斯不仅不错减少制程高度空洞化历程中可能发生的特地尝试,还不错最有用的将受到招供的业界当中最高性能DRAM的1b制程时候上风更正到1c制程时候上。
况兼,SK 海力士在部分EUV制程中成就并适用了新材料,炒股的也在总共制程中针对EUV适用制程进行了优化,借此以确保了资本竞争力。在此同期,在1c制程时候上也进行了筹算时候修订,与前一代1b制程时候相较,其坐蓐率提升了30%以上。
另外,这次1c制程时候的DDR5DRAM将主要用于高性能数据中心上,其引申速率为8Gbps,与前一代相较速率提升了11%,能效也提升了9%以上。而跟着 AI 期间的到来,数据中心的耗电量在捏续加多当中,要是云干事供应商的客户将 SK 海力士 1c DRAM 选择到数据中心上,则公司瞻望其电费最高能减少 30%。